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13.02.2025
Leistungshalbleiter auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) erfreuen sich in Hochleistungsanwendungen einer immer größeren Nachfrage. Sie können Strom effizienter schalten, weisen eine hohe Zuverlässigkeit und Robustheit unter extremen Bedingungen auf und ermöglichen noch kleinere Designs. Mit den SiC-Produkten von Infineon können Kunden energieeffiziente Lösungen für Elektrofahrzeuge, Schnellladestationen oder auch KI-Rechenzentren entwickeln – und das auf einer ganz neben Ebene.
Infineon hat bei der Umsetzung der 200-mm-Siliziumkarbid (SiC)-Strategie entscheidende Fortschritte erzielt. Das Unternehmen wird bereits im laufenden Quartal die ersten Produkte, die auf der fortschrittlichen 200-mm-SiC-Technologie basieren, an Kunden ausliefern.
„Die Umsetzung unserer SiC-Fertigung schreitet wie geplant voran und wir sind stolz auf die ersten Kundenauslieferungen“, sagt Dr. Rutger Wijburg, Chief Operations Officer von Infineon. „Durch das schrittweise Hochfahren der SiC-Produktion in Villach und Kulim verbessern wir die Kosteneffizienz und sichern weiterhin die Produktqualität. Gleichzeitig erreichen wir, dass die Produktionskapazitäten die Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern decken.“
Die 200-mm-SiC-Fertigung ist ein weiterer Baustein in der Erfolgsgeschichte von Infineon als Anbieter von branchenführenden Halbleiterlösungen für Power Systems. Sie stärkt die Technologieführerschaft des Unternehmens im gesamten Spektrum der Leistungshalbleiter von Silizium bis hin zu Siliziumkarbid und Galliumnitrid.
Der Newsflow bei Infineon bleibt positiv: Nach den soliden Quartalszahlen und dem modifizierten Ausblick auf das Gesamtjahr 2024/25 zeigt die planmäßige Umsetzung der SiC-Strategie, dass der Konzern seine Hausaufgaben macht und sich auf die Belebung der Nachfrage auf breiter Front vorbereitet. Belegen weitere Branchenvertreter mit ihren Zahlen und Ausblicken das Szenario einer durchschrittenen Talsohle, dürfte die Aktie wieder Kurs auf die 40-Euro-Marke und mehr nehmen.
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