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"Dieser technologische Durchbruch wird die gesamte Branche verändern", erklärte Infineon-Chef Jochen Hanebeck. "Bislang sind wir die Einzigen, die Galliumnitrid (GaN) auf 300-Millimeter-Wafern verarbeiten können." Einige Wettbewerber arbeiten noch mit 150 Millimeter-Wafern und planen den Umstieg auf 200 Millimeter, während Infineon diesen Schritt bereits hinter sich hat. Der Unterschied sei größer, als es auf den ersten Blick scheint: Aus einem 300-Millimeter-Wafer lassen sich 2,3-mal so viele Halbleiter herstellen wie aus einer 200-Millimeter-Scheibe.
Infineon hat einen bedeutenden Durchbruch in der Fertigung von Halbleitern auf Galliumnitrid-Basis erzielt. Dem Konzern ist es gelungen, das Material auf 300 Millimeter großen Wafern zu produzieren. Diese Bauteile werden unter anderem für KI-Server, Ladegeräte, Solaranlagen und die Elektromobilität benötigt. Laut eigenen Angaben ist Infineon das weltweit erste Unternehmen, dem dies gelungen ist.
"Die 300-Millimeter-Fertigung eröffnet uns neue Dimensionen in Bezug auf Produktivität und Kosten", betonte Hanebeck. "Wir profitieren auch davon, dass wir die größeren GaN-Wafer nach einigen spezifischen Verarbeitungsschritten auf den bestehenden Anlagen für Silizium weiterverarbeiten können. Dadurch können wir auf die über Jahrzehnte aufgebaute Produktivität dieser Anlagen zurückgreifen."
Zudem erwartet Hanebeck, dass sich die GaN-Marktpreise in den kommenden Jahren den Silizium-Preisen annähern werden. Die größeren Wafer würden diesen Trend beschleunigen und die Verbreitung von GaN weiter fördern. "Das wird dazu beitragen, dass der Markt für dieses Material wächst, und wir erwarten, daran einen beträchtlichen Anteil zu haben", fügte Hanebeck hinzu.
Diese positive Entwicklung könnte der Infineon-Aktie helfen, sich in nächster Zeit von ihrem jüngsten Abwärtstrend zu erholen. Investierte Anleger sollten daher weiterhin an ihrer Position festhalten.
Mit Material von dpa-AFX
